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STP60NE06L-16 |
TO-220-3 | STMicroelectronics | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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STP60NE06L-16参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 包装数量：1000 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4150pF @ 25V 功率 - 最大值：150W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeESM12DRTH-S13 Card EdgeEMM22DTAN-S189 PMIC - 稳压AP7201-1230FMG-7 铝电容器MAL212025102E3 晶体管(BJT) BCP5110TA RFI 和 EMI3MAB5010CIRCLE-0.75-250 Card EdgeAMM25DTMN-S189 芯片电阻 - 表面RG3216P-4021-W-T1 Card EdgeGBM10DRSH 线路滤波器FN3359-250-28 |
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